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プリント基板材料

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銅ラミネートf4btme- 1/2をセラミックフィラーでコーティングしたテフロンのガラス織物

f4btme- 1/2は輸入品のテフロン樹脂コーティングガラス布を使用し、科学的な配合と厳格なプロセスで積層したものです。低粗さ銅箔を採用。f4bm-2-aシリーズを電気的に優れ、放熱性を高め、熱膨張係数を小さくした。pimは安定しており、4 gや5 g通信に適しています。


技術仕様:




Appearance

Meet   the specification requirements for the laminate of microwave PCB

by   National and Military Standards.

Types

F4BTME-1/2

(255)

F4BTME-1/2

(265)

F4BTME-1/2

(285)

F4BTME-1/2

(294)

F4BTME-1/2

(300)

F4BTME-1/2

(320)

F4BTME-1/2

(338)

F4BTME-1/2

(350)

F4BTME-1/2

(400)

F4BTME-1/2

(440)



Dimension(mm)

610×460

600×500

1220×914

1220×1000

1500×1000


For   special dimension,customized laminates is available.

Thickness   and Tolerance(mm)

Laminate   thickness

0.254

0.508

0.762

0.787

1.016

Tolerance

±0.025

±0.05

±0.05

±0.05

±0.05

Laminate   thickness

1.27

1.524

2.0

3.0

4.0

Tolerance

±0.05

±0.05

±0.075

±0.09

±0.1

Laminate   thickness

5.0

6.0

9.0

10.0

12.0

Tolerance

±0.1

±0.12

±0.18

±0.18

±0.2

Mechanical   Strength

Cutting/punching

Strength

Thickness1mm,no   burrs after cutting,minimum space between two   punching holes is 0.55mm,no delamination.

Thickness1mm,no   burrs after cutting,minimum space between two   punching holes is 1.10mm,no delamination.

Peel   strength(1oz copper)

Normal   state:≥16N/cm;No bubble、delamination、peel strength≥14N/cm(in the constant humidity and temperature、and   keep in the melting solder of 265℃±2℃ for 20 seconds).


Thermal   stress

After   solder float,260ºC,10s,≥3 times ,no delamination and blister.

Chemical   Property

According   to the properties of laminate,the chemical etching method for PCB can be used. The dielectric   properties of laminate are not changed. The plating through hole can be done,but the sodium treatment or the plasma treatment must be used.

 

Electrical   Property

Name

Test   condition

Unit

Value

Density

Normal   state

g/   cm3

2.1~2.8

Moisture   Absorption

Dip   in the distilled water of 20±2℃ for24 hours

%

≤0.05

Operating   Temperature

High-low   temperature chamber

-50℃~+260℃

Thermal   Conductivity


W/m/k

0.6~0.9

CTE

(typical)

-55~288℃

(εr :2.55~3.0)

ppm/

15(x)

15(y)

65(z)

CTE

(typical)

-55~288℃

(εr :3.2~3.5)

ppm/

15(x)

15(y)

55(z)

CTE

(typical)

-55~288℃

(εr :4.0~4.4)

ppm/

12(x)

14(y)

50(z)

Shrinkage   Factor

2   hours in boiling water

%

   0.0002

Surface   Resistivity

500V

DC

Normal   state

M·Ω

≥1×106

Constant   humidity and temperature

≥1×105

Volume   Resistivity

Normal   state

MΩ.cm

≥1×107

Constant   humidity and temperature

≥1×106

Surface   dielectric strength

Normal   state

d=1mm(Kv/mm)

≥1.2

Constant   humidity and temperature

≥1.1

Dielectric   Constant

10GHZ

εr

2.85±0.05、2.94±0.05

3.00±0.05、3.20±0.05

3.38±0.05、3.50±0.05

4.00±0.08、4.40±0.1

Thermal   Coefficient ofεr

(PPM/℃)

-50150

εr

Value

2.85,2.94

-85

3.0,3.2

-75

3.38

-65

3.5

-60

4.0

-60

4.4

-60

Dissipation   Factor

10GHZ

tgδ

2.553.0

≤1.5×10-3

tgδ

3.03.5

≤2.0×10-3

tgδ

4.04.4

≤2.5×10-3


PIMD

2.5   GHZ

dbc

-163


UL   Flammability

Rating

94   V-0




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